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美光宣布业界率先推出232层QLC闪存

        4 月 17 日消息，美光宣布其在业界率先推出 232 层 QLC NAND 闪存。

        该闪存在消费级零售端已用于特定英睿达固态产品中，在消费级 OEM 端已随 2500 固态硬盘向客户出样，在企业端已开始为存储企业进行批量生产。

        美光表示其 232 层 QLC 拥有 2400MT/s 的闪存 I / O 速率，相较自家上代 176 层 QLC 闪存提升 50%，同时读取性能和编程性能也分别提升了 24% 和 31%。

        美光还宣称该闪存相较多家竞争对手的 QLC 产品拥有 28% 的比特密度优势。

        美光此次还同步发布了采用 232 层 QLC 闪存的 2500 固态硬盘。该固态硬盘为 PCIe Gen4x4 规格，支持 NVMe 1.4c 协议，采用 DRAM-less 无外置缓存设计 + HMB 方案。

        2500 可选 M.2 2230/2242/2280 三种外形规格，均为单面，包含 512GB / 1TB / 2TB 三种容量。这意味着该固态硬盘可在 2230 的小巧外形中提供 2TB 的存储空间，适合掌机等设备。




        源自：IT之家 作者：溯波 责编：汪淼 2024-04-17 10:39 

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